We investigated graphene-based transparent electrodes for InGaN/GaN light emitting diodes(LED). Nano-dotted layer of Ag and Ni were inserted between p-GaN and graphene to achieve low contact resistance and high transmittance. Heat treated Ag layer/graphene had low contact resistance of 0.7~1.2Ω/cm2, and we could achieve better luminance for GaN-based LED. However, for patterned Ni layer/graphene
어떻게?
① Metal을 이용
☞ Contact Resistance ↓, but Transmittance ↓
② Graphene을 이용
☞ Transmittance ↑, but Contact Resistance ↑
③ Metal/Graphene layer를 이용
☞ Transmittance ↑, Contact Resistance ↓
④ Patterned metal + Graphene을 이용 !! ↕:Good
☞ Transmittance ↑↑, Contact Resistance ↓↓ ↕: Bad
1. 서론
지난 30년간 리소그래피 기술은 반도체 소자의 발전과 더불어 광 투사 리소그래피(Optical Projection Lithography) 기술을 중심으로 지속적인 발전을 거듭하였다. 그리하여 지금 193 nm의 광 투사 리소그래피를 이용하여 100 nm 이하의 선 폭을 형성할 수 있는 수준에 이르렀다. 그러나 반도체 기술은 앞으
때문에 비용이 많이 드는 편이다. 광학적 성질이 우수하기 때문에 내시경같은 광학기계의 재료로 쓰이며 최근의 통신 선로로 각광받고 있는 광섬유의 주 원료이기도 하다. 뛰어난 내열성 때문에 우주왕복선의 아랫날개, 수직 꼬리날개 같은 부분의 방열 타일(heat-resistant tile)재료로 쓰이기도 한다.